IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Breite

5.3mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Drain-Source-Widerstand max.

16 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Höhe

21.45mm