IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-220

Name: IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-220
Brand: IXYS
Price: 7.46 EUR
Availability: InStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFP80N25X3

Produkt-Nr.: P-CC83SR

Technische Daten

Breite: 4.83mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 80 A
Drain-Source-Spannung max.: 250 V
Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V
Gate-Source Spannung max.: ±20 V
Höhe: 16mm

Produktbeschreibung

Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit Überlegene Durchbruchfähigkeit Gehäuse nach internationaler Norm Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen Motorsteuerung DC/DC-Konverter Unterbrechungsfreie Stromversorgungen Elektrisch betriebene Gabelstapler Audioverstärker der Klasse D Telekommunikationssysteme Hohe Eﬃzienz Hohe Leistungsdichte Erhöhte Systemzuverlässigkeit Einfache Integration200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung 12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG 10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle Erweiterter Speicherschutz 2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash ) 640 KB SRAM-Speicher