IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV

Technische Daten

Betriebstemperatur max.

+150 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

52 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Höhe

5.1mm