IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV
Technische Daten
- Breite
- 15.15mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 60 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 52 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
- Höhe
- 5.1mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 780 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 15.15mm
Höhe = 5.1mm
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041642132