IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 170 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227

Name: IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 170 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227
Brand: IXYS
Price: 53.05 EUR
Availability: InStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN170N65X2

Produkt-Nr.: P-CC2H7F

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 170 A
Diodendurchschlagsspannung: 1.4V
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V
Gate-Source Spannung max.: ±30 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 170 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 13 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,17 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Diodendurchschlagsspannung = 1.4V

Niedriger RDS(ON) und Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm Resonanznetzteile Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge) AC- und DC-Motorantriebe DC/DC-Konverter Robotik und Servosteuerung Akkuladegeräte 3-stufige Solarwechselrichter LED-Beleuchtung Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs) Höhere Eﬃzienz Hohe Leistungsdichte Einfache Montage Platzersparnis