IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 145 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 145 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 17 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
Produktbeschreibung
Niedriger RDS(ON) und Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm Resonanznetzteile Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge) AC- und DC-Motorantriebe DC/DC-Konverter Robotik und Servosteuerung Akkuladegeräte 3-stufige Solarwechselrichter LED-Beleuchtung Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs) Höhere Effizienz Hohe Leistungsdichte Einfache Montage Platzersparnis
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041722728