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IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 145 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN150N65X2

Produkt-Nr.: P-CC83SZ

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+150 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
145 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
17 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3.5V
Gate-Source Spannung max.
±30 V
Gehäusegröße
SOT-227

Produktbeschreibung

Niedriger RDS(ON) und Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm Resonanznetzteile Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge) AC- und DC-Motorantriebe DC/DC-Konverter Robotik und Servosteuerung Akkuladegeräte 3-stufige Solarwechselrichter LED-Beleuchtung Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs) Höhere Effizienz Hohe Leistungsdichte Einfache Montage Platzersparnis

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041722728