IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 36 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

36 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Drain-Source-Widerstand max.

240 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

SOT-227