IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 24 A 568 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Breite

25.42mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

24 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Drain-Source-Widerstand max.

390 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Montage-Typ

Schraubmontage