IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 310 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

715nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

SOT-227

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

310A