IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 310 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227

Name: IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 310 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227
Brand: IXYS
Price: 40.03 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN360N15T2

Produkt-Nr.: P-CC2LR4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 150V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 4mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 715nC
Gehäusegröße: SOT-227
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 310A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 310A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = SOT-227
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 4mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.07kW
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 9.6mm
Automobilstandard = Nein

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Zustand: Neu

Garantie: 12 Monate

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