IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 150 V / 310 A 1,07 kW, 4-Pin SOT-227

Name: IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 150 V / 310 A 1,07 kW, 4-Pin SOT-227
Brand: IXYS
Price: 48.82 EUR
Availability: InStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN360N15T2

Produkt-Nr.: P-CC2LR4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: –55 °Cmm
Breite: 25.07mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 310 A
Drain-Source-Spannung max.: 150 V
Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 310 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = GigaMOS TrenchT2 HiperFET
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 1,07 kW
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 25.07mm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™