IXYS GigaMOS Trench HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 420 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227

Name: IXYS GigaMOS Trench HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 420 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227
Brand: IXYS
Price: 45.61 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN420N10T

Produkt-Nr.: P-CC2LR5

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.3mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 670nC
Gehäusegröße: SOT-227
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 420A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 420A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = SOT-227
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.3mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.07kW
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 9.6mm
Automobilstandard = Nein

45,61 €

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Zustand: Neu

Garantie: 12 Monate

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