IXYS GigaMOS Trench HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 420 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

670nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

SOT-227

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

420A