IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 420 A 1,07 kW, 4-Pin SOT-227

Name: IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 420 A 1,07 kW, 4-Pin SOT-227
Brand: IXYS
Price: 25.26 EUR
Availability: InStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN420N10T

Produkt-Nr.: P-CC2LR5

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 420 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 670 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Höhe: 9.6mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 420 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = GigaMOS Trench HiperFET
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 2,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 1,07 kW
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 25.07mm
Höhe = 9.6mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™