IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Breite

25.07mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

360 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Drain-Source-Widerstand max.

2,6 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Höhe

9.6mm