IXYS GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 500 A 830 W, 24-Pin SMPD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

75V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.25V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

545nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

SMPD

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

500A