IXYS GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

595nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

SMPD

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

550A