IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

550 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Drain-Source-Widerstand max.

1,3 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

3.8V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Höhe

5.7mm

Montage-Typ

SMD