IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 600 A 830 W, 24-Pin SMPD

Technische Daten

Betriebstemperatur max.

+175 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

600 A

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Drain-Source-Widerstand max.

1,3 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

SMPD