IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

132 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Drain-Source-Widerstand max.

13 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

SMPD

Höhe

5.7mm