IXYS Einfach GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 250 V Erweiterung / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

250V

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gehäusegröße

SMPD

Höhe

5.7mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

132A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

570W