International Rectifier HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.4 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 16mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 23nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 12 V
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 9.4A
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) = 9.4A
Drain-Source-Spannung (Vds) max. = 40V
Gehäusegröße = SOIC
Serie = HEXFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. = 16mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung (Vf) = 1.3V
Gate-Source-spannung max (Vgs) = 12 V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 2.5W
Betriebstemperatur min. = -55°C
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs = 23nC <br
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET