International Rectifier HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11.8 A 3 W, 8-Pin SOIC

Name: International Rectifier HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11.8 A 3 W, 8-Pin SOIC
Brand: INFINEON
Price: 0.54 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF7811AVTRPBF

Produkt-Nr.: P-C673RC-C7BZDJ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 14mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 14nC
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 11.8A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 3W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) = 11.8A
Drain-Source-Spannung (Vds) max. = 30V
Gehäusegröße = SOIC
Serie = HEXFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. = 14mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung (Vf) = 1.3V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 3W
Betriebstemperatur min. = -55°C
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs = 14nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C <br