Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFB7430PBF

Produkt-Nr.: P-CCGGYD

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +175 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 195 A
Drain-Source-Spannung max.: 40 V
Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 195 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Höhe = 16.51mm

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.