Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 99 W, 3-Pin TO-220AB
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 120 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 40 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3,3 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.9V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
Produktbeschreibung
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043912004