Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

23mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

115nC

Gehäusegröße

TO-263

Höhe

4.57mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

80A

Maximale Betriebstemperatur

175°C