Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.8Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

660mA