Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: SPB80P06PGATMA1

Produkt-Nr.: P-CCB7WV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: P
Dauer-Drainstrom max.: 80 A
Drain-Source-Spannung max.: 60 V
Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 115 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 340 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs. Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.. · AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt) · Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform