Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

Name: Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSP149H6327XTSA1

Produkt-Nr.: P-CCPG7F

Technische Daten

Channel-Modus: Depletion
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 660 mA
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 11 nC @ 5 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 1V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Höhe: 1.6mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 660 mA
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,8 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 11 nC @ 5 Vmm
Höhe = 1.6mm