Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 57 A 278 W, 10-Pin PG-HDSOP-10-1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 50mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 68nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20 V
- Gehäusegröße
- PG-HDSOP-10-1
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 57A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 57A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-HDSOP-10-1
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 10
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 50mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 68nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET