Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 114 W, 3-Pin PG-TO263-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.115Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

41nC

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

21A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

114W