Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

88 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Drain-Source-Widerstand max.

11 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V