Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

120V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

66nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

98A