Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Breite

15.95mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

64 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Drain-Source-Widerstand max.

20 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V