Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220

Name: Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPP110N20N3GXKSA1

Produkt-Nr.: P-CCJK6L

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 88 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 88 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 65 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr