Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Drain-Source-Widerstand max.

7,7 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Höhe

4.57mm