Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

98 A

Drain-Source-Spannung max.

120 V

Drain-Source-Widerstand max.

7,7 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

66 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Höhe

1.1mm