Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Drain-Source-Widerstand max.

4,4 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

155 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V