Infineon N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3