Infineon N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 225 A, 4-Pin TO-247-4

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

225 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

TO-247-4

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4