Infineon N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 225 A, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

225 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3