Infineon N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 800 V / 17 A, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

TO-252

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3