Infineon N-Kanal MOSFET 950 V / 13,3 A, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 13,3 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 950 V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 950 V
Gehäusegröße = TO-263
Pinanzahl = 3
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET