Infineon MOSFET MOSFET 24-Pin DIP 18.5 V 100 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 100ns
- Anstiegszeit
- 25ns
- Anzahl der Ausgänge
- 4
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- DIP
- Höhe
- 8.1mm
- Länge
- 36mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 18.5V
- Minimale Versorgungsspannung
- 18.5V
Produktbeschreibung
Gate-Treiber
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- Artikeltyp
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