Infineon LogicFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Breite
- 4.69mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 17 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 100 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 2V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1V
- Gate-Source Spannung max.
- –16 V, +16 V
Produktbeschreibung
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045860747
