Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.4 A 1.25 W, 8-Pin MSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.4Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.2nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±12 V

Gehäusegröße

MSOP

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.4A