Infineon Isoliert HEXFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.7 A 1.25 W, 8-Pin MSOP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 200mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 7.5nC
- Gehäusegröße
- MSOP
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 2.7A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.25W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 2.7A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = MSOP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 200mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.25W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.86mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045920991