Infineon Isoliert HEXFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.7 A 1.25 W, 8-Pin MSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

200mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

MSOP

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.7A