Zum Hauptinhalt springen

Infineon IPT60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 75 A 391 W, 8-Pin HSOF

INFINEON Logo

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPT60R028G7XTMA1

Produkt-Nr.: P-CCPGR3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
28mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
123nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20 V
Gehäusegröße
HSOF
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
75A

Produktbeschreibung

Die Infineon CoolMOS TM C7 Gold Superjunction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-CoolMOS TM C7-Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum

Produktangebot

10,39 €

12,36 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Nicht vorrätig
Zustand: Neu
Garantie: 12 Monate

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET