Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 0.82 V / 23 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 0.82V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 22mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.82V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 150nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20 V
- Gehäusegröße
- PG-HSOF-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 23A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 23A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 0.82V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 22mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 150nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS, JEDEC
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
8,11 €
9,65 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 1 TageGarantie: 12 Monate
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET