Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 0.82 V / 23 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

0.82V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

22mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

150nC

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

23A

Maximale Betriebstemperatur

150°C