Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

319V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.81V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

74nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Höhe

2.35mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

190A