Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 87 A, 8-Pin PG-HSOF-8
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 87 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Gehäusegröße
- PG-HSOF-8
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 87 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
