Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 29 A 171 W, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

95mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

ThinPAK 8 x 8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

29A