Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 22mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.82V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 150nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30 V
- Gehäusegröße
- HDSOP
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 375A
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 375A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Serie = IPD
Montageart = Oberfläche
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 22mΩ
Channel-Modus = N
Durchlassspannung Vf = 0.82V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET